طوّر فريق دولي من الباحثين، يضم علماء من جامعة الشرق الأقصى الفيدرالية وجامعة سخالين الحكومية الروسية ومراكز علمية في الصين، نوعًا جديدًا من الذاكرة غير المتطايرة يحمل اسم SOT-MRAM، ويُعد خطوة مهمة نحو جيل جديد من وحدات التخزين السريعة والموفرة للطاقة. المصدر: sarabic.ae Post Views: 5 تصفّح المقالات موناكو: انفجار قد يكون أول عمل إرهابي في تاريخ الإمارة الخارجية الروسية: موسكو ودول الخليج تبحث مفهوم الأمن المشترك في الخريف المقبل
